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异质结电池（HIT），全称晶体硅异质结太阳电池。

资料显示，HIT电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，由于HIT已经被三洋公司申请为注册商标，所以后来出现的HJT、HDT、SHJ其实指的都是异质结电池，2015年三洋公司的HIT专利保护结束，技术壁垒消除，各国企业和研究机构纷纷加大对HIT的技术研发和产业化投入。

该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。

相对于传统晶硅技术，由于非晶硅薄膜的引入，硅异质结太阳电池的晶硅衬底前后表面实现了良好的钝化，因而其表面钝化更趋完善。

利用非晶硅薄膜与单晶硅衬底异质结结构的异质结电池的优势主要体现在：效率高、低光衰、温度系数低、弱光响应高等诸多优势。这些优势带来的最明显的特征就是，电池具备更高的发电能力、度电成本更低。